Évitez les défaillances thermiques de vos alimentations de puissance
Les échauffements excessifs sont la cause principale de la destruction des semi-conducteurs de puissance. Le module BSM50GAL120DN2 résout ce problème majeur en intégrant des puces IGBT à coefficient de température positif, facilitant la mise en parallèle et stabilisant le comportement thermique.
Une commutation rapide pour réduire l'échauffement des boîtiers
En minimisant le temps de transition entre l'état passant et l'état bloqué, ce transistor réduit l'énergie dissipée à chaque cycle. Le système reste frais, limitant l'usure de la pâte thermique et évitant l'emballement thermique de vos équipements de soudage à l'arc ou de chauffage par induction.
Pourquoi choisir cette architecture de commutation
- Élimination des pointes de courant destructrices lors de l'extinction.
- Réduction de la taille requise pour les ventilateurs de refroidissement.
- Fiabilité prolongée sous des cycles thermiques répétés au quotidien.
Spécifications du modèle 50A
| Identifiant de pièce | BSM50GAL120DN2 / BSM100GAL120DN2K |
| Courant assigné | 50 A (ou 100 A selon variante de câblage) |
| Tension d'arrêt maximale | 1200 V |
| Technologie de puce | NPT-IGBT robuste face aux courts-circuits |
Ce module apporte la tranquillité d'esprit nécessaire aux gestionnaires de parcs industriels soucieux de la continuité de leur activité de production.
